因此，江西从严格意义上来说，在三维系统中实现QHE依然是不小的挑战。
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市场图2样品电流模拟从FEBID期间收集的与时间相关的样本电流曲线中解析分段角度变化。运营印图7BIR温度随校准结构高度变化的3DFEBID模拟BIR温度随校准结构高度变化的3DFEBID模拟。随着纳米线生长的热阻增加，规则束撞击区域的温度逐渐升高，导致沉积速率随之降低，纳米线朝向基板弯曲，实验、数学模型和模拟均证实了上述结果。
【成果简介】近日，江西美国田纳西大学JasonD.Fowlkes博士(通讯作者)等通过互补实验、江西模型和模拟确定光束诱导的加热，探究了使用聚焦电子束诱导沉积(FEBID)对网格物体3D纳米打印期间的沉积速率影响，并在ACSNano上发表了题为ImpactofElectron-BeamHeatingduring3DNanoprinting的研究论文。由于垂直生长速率降低，电力调频纳米线似乎偏向并朝向基板弯曲。
辅助服务图4预测BIR温度随z坐标中的总沉积高度的变化通过1D分析数学模型(实线)预测沉积物的最高温度作为沿z坐标的总沉积高度的函数。
图3FEBID诱导电子束加热的一维分析模型分段增长角度(ζ)，市场隐含地包括在1D加热模型中随沉积物的路径长度上变化的横截面积函数A(s)。作者采取同步辐射表征和密度泛函理论（DFT）计算分析表明，运营印双金属硒化物的相界处存在界面电荷的重新分布，运营印表现为在界面的位置上电子从CoSe2转移到ZnSe上。
规则（i）50次循环后CoZn-Se的HRTEM图像。江西（c）从（a）和（b）中挑选的XRD图谱。
【图文导读】图一、电力调频材料表征 （a）CoZn-Se,ZnSe和CoSe2的XRD图谱。（f）CoK-edgeEXAFS图谱;（g）k2-weightedZnK-edgeEXAFS信号的小波变换（h）k2-weightedCoK-edgeEXAFS信号的小波变换图二、辅助服务储钠性能（a）CoZn-Se、辅助服务ZnSe和CoSe2在0.01-3.0V电压范围内，0.1mVs-1下的第二圈CV曲线。
